IC SDRAM DDR4-3200 4Gbit 256Mx16 Samsung 1,2V FBGA-96ball I-TEMP

Product number:
AK4A4G165WF-BIWE0CV
EAN:
Manufacturer no.:
K4A4G165WF-BIWE0CV

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Product information "IC SDRAM DDR4-3200 4Gbit 256Mx16 Samsung 1,2V FBGA-96ball I-TEMP"
CL22, RoHS Compliant (Lead-Free&Halogen-Free) industrial temperature grade -40°C to +85°C Tray 1120pcs CV-Bucket - Enhance Test Coverage
Applikation: Embedded / Industrial
Kapazität: 4 Gbit
Typenbeschreibung DRAM: CV-Bucket
Chiphersteller: Samsung
Chiporganisation: 256Mx16
Latenzzeit: CL22
VPE: Tray
Gehäuse: FBGA-96ball
Menge: 1120
Gewährleistung: 2
RoHS-Konform: Ja
Geschwindigkeit: 3200 MHz
Technologie: IC SDRAM DDR4
Temperaturbereich: -40°C to 85/95
Versorgungsspannung: 1.50

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