IC SDRAM DDR4-2666 4Gbit 512Mx8 Samsung 1,2V FBGA-78ball

Product number:
AK4A4G085WE-BCTDTCV
EAN:
Manufacturer no.:
K4A4G085WE-BCTDTCV

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Product information "IC SDRAM DDR4-2666 4Gbit 512Mx8 Samsung 1,2V FBGA-78ball"
CL19, RoHS Compliant (Lead-Free&Halogen-Free) commercial temperature grade 0°C to +85°C T&R 2000pcs CV-Bucket - Enhance Test Coverage
Applikation: Embedded / Industrial
Kapazität: 4 Gbit CV-Bucket
Chiphersteller: Samsung
Chiporganisation: 512Mx8
Latenzzeit: CL19
VPE: T&R
Gehäuse: FBGA-78ball
Gewährleistung: 2
Menge: 2000
RoHS-Konform: Ja
Geschwindigkeit: 2666 MHz
Technologie: IC SDRAM DDR4
Temperaturbereich: 0°C to 85°C
Versorgungsspannung: 1,2

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