IC SDRAM DDR4-3200 4Gbit 256Mx16 Samsung 1,2V FBGA-96ball I-TEMP
Produktnummer:
AK4A4G165WF-BIWE0CV
Hersteller-Nr.:
K4A4G165WF-BIWE0CV
Hersteller:
SAMSUNG
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Produktinformationen "IC SDRAM DDR4-3200 4Gbit 256Mx16 Samsung 1,2V FBGA-96ball I-TEMP"
CL22, RoHS compliant (Lead-Free&Halogen-Free)
industrial temperature grade -40°C to +85°C
Tray 1120pcs
CV-Bucket - Enhance Test Coverage
| Technologie: | IC SDRAM DDR4 |
|---|---|
| Kapazität: | 4Gbit |
| Chiphersteller: | Samsung |
| Chiporganisation: | 256Mx16 |
| Latenzzeit: | CL22 |
| Gehäuse: | FBGA-96ball |
| Geschwindigkeit: | 3200 MHz |
| Versorgungsspannung: | 1.50 |
| Typenbeschreibung DRAM: | CV-Bucket |
| Applikation: | Embedded / Industrial |
| Temperaturbereich: | -40°C to 85/95 |
| RoHS-Konform: | Ja |
| VPE: | Tray |
| Menge: | 1120 |
| Gewährleistung: | 2 |