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Produktinformationen "IC SDRAM DDR4-3200 4Gbit 256Mx16 Samsung 1,2V FBGA-96ball I-TEMP"

CL22, RoHS compliant (Lead-Free&Halogen-Free) industrial temperature grade -40°C to +85°C Tray 1120pcs CV-Bucket - Enhance Test Coverage
Technologie: IC SDRAM DDR4
Kapazität: 4Gbit
Chiphersteller: Samsung
Chiporganisation: 256Mx16
Latenzzeit: CL22
Gehäuse: FBGA-96ball
Geschwindigkeit: 3200 MHz
Versorgungsspannung: 1.50
Typenbeschreibung DRAM: CV-Bucket
Applikation: Embedded / Industrial
Temperaturbereich: -40°C to 85/95
RoHS-Konform: Ja
VPE: Tray
Menge: 1120
Gewährleistung: 2