IC SDRAM DDR4-2666 4Gbit 512Mx8 Samsung 1,2V FBGA-78ball I-TEMP
Produktnummer:
AK4A4G085WF-BITD0CV
EAN:
Hersteller-Nr.:
K4A4G085WF-BITD0CV
Hersteller:
SAMSUNG
Verfügbarkeit:
Nicht lagernd
Lieferzeit:
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Preis auf Anfrage
Produktinformationen "IC SDRAM DDR4-2666 4Gbit 512Mx8 Samsung 1,2V FBGA-78ball I-TEMP"
CL19, RoHS compliant (Lead-Free&Halogen-Free)
industrial temperature grade -40°C to +85°C (95°C)
Tray 1120pcs
CV-Bucket - Enhance Test Coverage
| Technologie: | IC SDRAM DDR4 |
|---|---|
| Kapazität: | 4Gbit |
| Chiphersteller: | Samsung |
| Chiporganisation: | 512Mx8 |
| Latenzzeit: | CL19 |
| Gehäuse: | FBGA-78ball |
| Geschwindigkeit: | 2666 MHz |
| Versorgungsspannung: | 1,5V |
| Applikation: | Embedded / Industrial |
| Temperaturbereich: | -40°C to 85/95 |
| RoHS-Konform: | Ja |
| VPE: | Tray |
| Menge: | 1120 |
| Gewährleistung: | 2 |