IC SDRAM DDR3L-1866 4Gbit 512Mx8 Samsung 1,35/1,5V FBGA-78ball I-TEMP
Produktnummer:
AK4B4G0846E-BMMA0CV
Hersteller-Nr.:
K4B4G0846E-BMMA0CV
Hersteller:
SAMSUNG
Verfügbarkeit:
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Produktinformationen "IC SDRAM DDR3L-1866 4Gbit 512Mx8 Samsung 1,35/1,5V FBGA-78ball I-TEMP"
CL13, RoHS compliant (Lead-Free&Halogen-Free)
industrial temperature grade -40°C to +95°C
Tray 1280pcs
CV-Bucket - Enhance Test Coverage
Intrastat-Nr: 85423239
COO Korea
| Technologie: | IC SDRAM DDR3 |
|---|---|
| Kapazität: | 4Gbit |
| Chiphersteller: | Samsung |
| Chiporganisation: | 512Mx8 |
| Abmessungen: | 11.0 X 7.50 X 1.10 |
| Latenzzeit: | CL11 |
| Gehäuse: | FBGA-78ball |
| Geschwindigkeit: | 1866 MHz |
| Versorgungsspannung: | 1,35 / 1,5 |
| Applikation: | Embedded / Industrial |
| Temperaturbereich: | -40°C to 85°C/95 |
| RoHS-Konform: | Ja |
| VPE: | Tray |
| Menge: | 1280 |
| Gewährleistung: | 2 |
| Produkt Status: | Mass Production |