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Produktinformationen "8GB Samsung DDR3-1600 CL11 (512Mx8) ECC DR LV (1,35V)"

M391B1G73QH0-YK0 Q-Die 240PIN 18C/DS 2R 1,35V 1,18" Pb-free RoHS PC3-12800
Kapazität: 8GB
Hersteller: Samsung
Technologie: DDR3 SDRAM
Geschwindigkeit: DDR3-1600 (PC3-12800)
Chiphersteller: Samsung
Chiporganisation: 512Mx8
RAM-Merkmale: unbuffered
Datenintegritätsprüfung: ECC
Modulmaße: 133,35 x 30 x 4
Formfaktor: 240pin LongDIMM
Latenzzeit: CL9
Modulkonfiguration: Dual Rank
Typ: UDIMM
Versorgungsspannung: 1,35
Jedec-Norm: Jedec Norm
ISO9001: ISO9001
Gewährleistung: 2