Produktnummer:
AK4B4G0846E-BYMATCV
EAN:
Hersteller-Nr.:
K4B4G0846E-BYMATCV
Hersteller:
SAMSUNG
Produktinformationen "IC SDRAM DDR3L-1866 4Gbit 512Mx8 Samsung 1,35V FBGA-78ball"
CL13, RoHS Compliant (Lead-Free&Halogen-Free)
commercial temperature grade 0°C to +85°C (95°C)
T&R 2000pcs
CV-Bucket - Enhance Test Coverage
| Technologie: | IC SDRAM DDR3 |
|---|---|
| Kapazität: | 4 Gbit - CV-Bucket |
| Chiphersteller: | Samsung |
| Chiporganisation: | 256Mx16 |
| Abmessungen: | 11.00 X 7.50 X 1.10 |
| Latenzzeit: | CL13 |
| Gehäuse: | FBGA-78ball |
| Geschwindigkeit: | 1866 MHz |
| Versorgungsspannung: | 1,35 / 1,5 |
| Applikation: | Embedded / Industrial |
| Temperaturbereich: | 0°C to 85°C/95 |
| RoHS-Konform: | Ja |
| VPE: | T&R |
| Menge: | 2000 |
| Gewährleistung: | 2 |
Anmelden