IC SDRAM DDR2-800 512Mbit 32Mx16 Samsung 1,8V FBGA-84ball

Produktnummer:
AK4T51163QN-BCE70CV
EAN:
Hersteller-Nr.:
K4T51163QN-BCE70CV
Hersteller:
SAMSUNG

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Produktinformationen "IC SDRAM DDR2-800 512Mbit 32Mx16 Samsung 1,8V FBGA-84ball"
CL6, RoHS Compliant (Lead-Free&Halogen-Free) commercial temperature grade 0°C to +85°C (95°C) Tray 1280pcs CV-Bucket - Enhance Test Coverage
Technologie: IC SDRAM DDR2
Kapazität: 512 Mbit - CV-Bucket
Chiphersteller: Samsung
Chiporganisation: 32Mx16
Abmessungen: 12,50 X 7,50 X 0,90
Latenzzeit: CL6
Gehäuse: FBGA-84ball
Geschwindigkeit: 800 MHz
Versorgungsspannung: 1,8
Applikation: Embedded / Industrial
Temperaturbereich: 0°C to 85°C/95
RoHS-Konform: Ja
VPE: Tray
Menge: 1280
Gewährleistung: 2
Produkt Status: Mass Production

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