Industrie SO-DIMM 4GB DDR3-1866 CL13 (512Mx8) (1,35/1,5V) SR - I-TEMP

Produktnummer:
AMS3S4G186B2-SEMAY
EAN:
4047762527839
Hersteller-Nr.:
MS3S4G186B2-SEMAY
Hersteller:
Memorysolution

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Produktinformationen "Industrie SO-DIMM 4GB DDR3-1866 CL13 (512Mx8) (1,35/1,5V) SR - I-TEMP"
204pin, SR, 1,35V (1,5V), Samsung IC: K4B4G0846E-BMMA Pb-free ROHS, Warranty 2Y Industrial Temperature Grade: -40°C to +85°C (+95°C)
Kapazität: 4GB
Hersteller: Memorysolution
Technologie: DDR3 SDRAM SODIMM
Geschwindigkeit: DDR3-1866 (PC3-14900)
Chiphersteller: Samsung - K4B4G0846E-BMMA
Chiporganisation: 512Mx8
RAM-Merkmale: unbuffered
Datenintegritätsprüfung: non-ECC
Modulmaße: 67,6 x 30,0 x 3,6
Formfaktor: SO-DIMM 204pin
Latenzzeit: CL13
Modulkonfiguration: 512Mx64
Anzahl der ICs: 8
Typ: Notebookspeicher
Versorgungsspannung: 1.35
Jedec-Norm: Jedec-Norm
ISO9001: ISO9001
Gewährleistung: 2
Temperature grade: Industrial
Operating temperature: -40°C to +85/+95

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