IC SDRAM DDR4-3200 8Gbit 512Mx16 Samsung 1,2V FBGA-96ball I-TEMP

Produktnummer:
AK4A8G165WC-BIWE0CV
EAN:
Hersteller-Nr.:
K4A8G165WC-BIWE0CV
Hersteller:
SAMSUNG

Preis auf Anfrage

Produktinformationen "IC SDRAM DDR4-3200 8Gbit 512Mx16 Samsung 1,2V FBGA-96ball I-TEMP"
CL22, RoHS Compliant (Lead-Free&Halogen-Free) industrial temperature grade -40°C to +85°C (95°C) Tray 1120pcs CV-Bucket - Enhance Test Coverage
Technologie: IC SDRAM DDR4
Kapazität: 8 Gbit - CV-Bucket
Chiphersteller: Samsung
Chiporganisation: 512Mx16
Abmessungen: 13,30 X 7,50 X 1,10
Latenzzeit: CL21
Gehäuse: FBGA-96ball
Geschwindigkeit: 3200 MHz
Versorgungsspannung: 1,2V
Applikation: Embedded / Industrial
Temperaturbereich: -40°C to 85/95
RoHS-Konform: Ja
VPE: Tray
Menge: 1120
Gewährleistung: 2

0 von 0 Bewertungen

Geben Sie eine Bewertung ab!

Teilen Sie Ihre Erfahrungen mit dem Produkt mit anderen Kunden.