IC SDRAM DDR4-3200 8Gbit 1Gx8 Samsung 1,2V FBGA-78ball I-TEMP

Produktnummer:
AK4A8G085WC-BIWE0CV
EAN:
Hersteller-Nr.:
K4A8G085WC-BIWE0CV
Hersteller:
SAMSUNG

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Produktinformationen "IC SDRAM DDR4-3200 8Gbit 1Gx8 Samsung 1,2V FBGA-78ball I-TEMP"
CL22, RoHS Compliant (Lead-Free&Halogen-Free) industrial temperature grade -40°C to +85°C (95°C) Tray 1280pcs CV-Bucket - Enhance Test Coverage
Technologie: IC SDRAM DDR4
Kapazität: 8 Gbit - CV-Bucket
Chiphersteller: Samsung
Chiporganisation: 1Gx8
Latenzzeit: CL21
Gehäuse: FBGA-78ball
Geschwindigkeit: 3200 MHz
Versorgungsspannung: 1,2
Applikation: Embedded / Industrial
Temperaturbereich: -40 to +85/+95
RoHS-Konform: Ja
VPE: Tray
Menge: 1280
Gewährleistung: 2

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