IC SDRAM DDR4-2666 4Gbit 512Mx8 Samsung 1,2V FBGA-78ball I-TEMP

Produktnummer:
AK4A4G085WF-BITD0CV
EAN:
Hersteller-Nr.:
K4A4G085WF-BITD0CV
Hersteller:
SAMSUNG

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Produktinformationen "IC SDRAM DDR4-2666 4Gbit 512Mx8 Samsung 1,2V FBGA-78ball I-TEMP"
CL19, RoHS Compliant (Lead-Free&Halogen-Free) industrial temperature grade -40°C to +85°C (95°C) Tray 1120pcs CV-Bucket - Enhance Test Coverage
Technologie: IC SDRAM DDR4
Kapazität: 4 Gbit
Chiphersteller: Samsung
Chiporganisation: 512Mx8
Latenzzeit: CL19
Gehäuse: FBGA-78ball
Geschwindigkeit: 2666 MHz
Versorgungsspannung: 1,5V
Applikation: Embedded / Industrial
Temperaturbereich: -40°C to 85/95
RoHS-Konform: Ja
VPE: Tray
Menge: 1120
Gewährleistung: 2

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