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Produktinformationen "8GB Samsung DDR3-1600 CL11 (1Gx4) ECC reg. SR LV (1,35V)"

M393B1G70QH0-YK0 4 Gbit Q-Die, 30nm Class, Green Memory Gen. 2, 240PIN 18C/DS 1R 1,35V 1,18" Pb-/Halogen-free RoHS PC3L-12800
Kapazität: 8GB
Hersteller: Samsung
Technologie: DDR3 SDRAM
Geschwindigkeit: DDR3-1600 (PC3-12800)
Chiphersteller: Samsung
Chiporganisation: 1Gx4
RAM-Merkmale: registered
Datenintegritätsprüfung: ECC
Modulmaße: 133,35 x 30 x 4
Formfaktor: 240pin LongDIMM
Latenzzeit: CL11
Modulkonfiguration: Single Rank
Typ: RDIMM
Versorgungsspannung: 1,35
Jedec-Norm: Jedec Norm
ISO9001: ISO9001
Gewährleistung: 2