Industrie SO-DIMM 4GB DDR4-2666 CL19 (512Mx8) (1,2V) SR - I-TEMP
Produktnummer:
AMS4S4G266B2-SETDI
EAN:
4047762532307
Hersteller-Nr.:
MS4S4G266B2-SETDI
Hersteller:
Memorysolution
Verfügbarkeit:
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Produktinformationen "Industrie SO-DIMM 4GB DDR4-2666 CL19 (512Mx8) (1,2V) SR - I-TEMP"
260pin, SR, 1,2V, Samsung IC: 8 ICs K4A4G085WE-BITD
Pb-free ROHS, Warranty 2Y
Operating Temperature Grade: -40°C to +85°C (+95°C)
Storage Temperature: -40°C to +95°C
| Kapazität: | 4GB |
|---|---|
| Hersteller: | Memorysolution |
| Technologie: | DDR4 SDRAM SO-DIMM |
| Geschwindigkeit: | DDR4-2666 (PC4-2666) |
| Chiphersteller: | SAMSUNG - K4A4G085WE-BITD |
| Chiporganisation: | 512Mx8 |
| RAM-Merkmale: | unbuffered |
| Datenintegritätsprüfung: | non-ECC |
| Modulmaße: | 69,6 x 30,1 x 4,0 |
| Formfaktor: | SO-DIMM 260pin |
| Latenzzeit: | CL19 |
| Modulkonfiguration: | 512Mx64 |
| Anzahl der ICs: | 8 |
| Typ: | Notebookspeicher |
| Versorgungsspannung: | 1.2 |
| Jedec-Norm: | Jedec-Norm |
| ISO9001: | ISO9001 |
| Gewährleistung: | 2 |
| Temperature grade: | Industrial |
| Operating temperature: | -40°C to +85/+95 |