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Produktinformationen "Industrie SO-DIMM 4GB DDR4-2666 CL19 (512Mx16) (1,2V) SR"

260PIN SR 1,2V 1,18", Samsung IC: 4 ICs K4A8G165WC-BCTD Pb-free ROHS, Warranty 2Y Operating Temperature 0°C to +85°C (+95°C) Storage Temperature -40°C to +95°C
Kapazität: 4GB
Hersteller: Memorysolution
Technologie: DDR4 SDRAM SO-DIMM
Geschwindigkeit: DDR4-2666 (PC4-2666)
Chiphersteller: Samsung - K4A8G165WC-BCTD
Chiporganisation: 512Mx16
RAM-Merkmale: unbuffered
Datenintegritätsprüfung: non-ECC
Modulmaße: 69,6 x 30,1 x 4,0
Formfaktor: SO-DIMM 260pin
Latenzzeit: CL19
Modulkonfiguration: 1Gx64
Anzahl der ICs: 4
Typ: Notebookspeicher
Versorgungsspannung: 1.2
Jedec-Norm: Jedec-Norm
ISO9001: ISO9001
Gewährleistung: 2
Temperature grade: Commercial
Operating temperature: 0°C to +85/+95